10:00~10:05 | 開会の辞 |
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10:05~10:35 | 100万気圧を超える圧力下の超伝導体探索 清水 克哉(大阪大学 大学院基礎工学研究科附属極限科学センター) |
10:35~11:05 | 電極導入型DACの開発と層状ニッケル酸化物超伝導体の物性評価 高野 義彦 (物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス材料研究センター) |
11:05~11:35 | 精密な高圧力制御と物性計測で拓く圧力誘起超伝導 松林 和幸(電気通信大学 大学院情報理工学研究科) |
11:35~13:00 | 休憩 |
13:00~13:30 | ハイエントロピー超伝導体における高圧下でのTcピンニング現象 水口 佳一(東京都立大学 大学院理学研究科) |
13:30~14:00 | 高圧合成手法を用いた超伝導材料開発 川島 健司(イムラ・ジャパン株式会社) |
14:00~14:30 | 高圧合成を利用したバルクコンビナトリアル法による新超伝導物質探索 伊豫 彰(産業技術総合研究所 電子光基礎技術研究部門) |
14:30~14:35 | 閉会の辞 |